长(鑫效)应：中国“海力士”的“{朋友}圈”

记者 郑晨烨

在当前这一轮半导体繁荣周期中，长鑫科技集团股份有限公司（下称 " 长鑫科技 "）是国内体量最大的 DRAM（动态随机存取存储器）扩产主体之一。

5 月 17 日，长鑫科技更新后的科创板 IPO 招股书显示，2026 年一季度，该公司实现营收 508 亿元，实现归母净利润 247.6 亿元，并预计 2026 年上半年归母净利润为 500 亿至 570 亿元。

作为比较，同样是 2026 年一季度，SK 海力士（000660.KS）营收折合人民币约 2700 亿元，三星电子（005930.KS）存储芯片业务营收折合人民币约 3800 亿元。也就是说，长鑫科技 508 亿元的季度营收，已经相当于 SK 海力士同期的约五分之一。

从业务结构看，长鑫科技和 SK 海力士有明显的相似性，两者都是以 DRAM 为核心的 IDM 厂商（垂直整合制造商，集芯片设计、晶圆制造、封装测试于一体），区别在于 SK 海力士约三成营收来自 NAND 闪存（非易失性存储芯片），长鑫科技目前则是一家纯粹的 DRAM 公司。

或者说，在某种程度上，长鑫科技正在成为中国的 " 海力士 "。

全球存储行业由三星、SK 海力士和美光科技（MU.NASDAQ）主导了十余年，长鑫科技是过去十余年来最接近行业头部位置的新进入者。

一块 DRAM 芯片的制作流程相当复杂，从硅片到成品，要经过刻蚀、薄膜沉积、化学机械抛光、清洗、检测等数百道工序，每一道工序对应一类专用设备和一批特定材料。

从招股书信息看，长鑫科技能完成从 DDR4（第四代双倍数据速率内存）到 DDR5（第五代）的全面产品切换，并把毛利率从两年前的 -112% 拉到 40% 以上，营收体量快速放大，前提是其背后的供应链能够同步支撑。

在半导体设备行业工作多年的工程师蒋彬告诉经济观察报记者，过去国产设备最缺的是在量产产线上验证的机会，而长鑫科技和长江存储的大规模扩产，正在给国产设备厂商提供这个机会。

工序背后的设备商

制造一块 DRAM 芯片，主要流程可以简化为：在硅片上反复沉积薄膜、用光刻定义电路图案、用刻蚀去除多余部分、用化学机械抛光（CMP）把表面磨平，再进行离子注入、清洗、检测。

整个过程涉及数百道工序，每一道都需要专用设备。

一位长期关注半导体设备的投资人告诉经济观察报记者，在 DRAM 产线的设备资本开支中，刻蚀和薄膜沉积设备合计约占 50%，是份额最大的两类；其次是光刻设备，再次是量测检测设备（对芯片上的薄膜厚度、线宽、缺陷等进行精密测量和检查的设备），其中量测检测约占设备总开支的 12% 至 15%。这些设备过去长期依赖进口。

尽管应用材料（Applied Materials）、泛林集团（Lam Research）、东京电子（TEL）等美日厂商仍然占据了全球半导体设备市场的主要份额，但在过去的几年里，国产设备在国内存储产线上的渗透率正在快速提升。

一位接近长鑫科技的产业链人士告诉经济观察报记者，长鑫科技目前的国产设备整体占比大约在四成到五成之间。根据公开信息，长江存储科技有限责任公司（下称 " 长江存储 "）的情况也可以作为参照：其武汉三期工厂中，国产设备的采购占比已过半，刻蚀、薄膜沉积、清洗、检测等核心工序的国产化率更是超过了 60%。

该名产业链人士表示，这样的国产化率在行业里算相当高的，国内多数晶圆厂的国产设备占比要低于这个水平。

但长鑫科技和长江存储的国产设备占比，在各个生产环节的分布并不均匀。前述投资人告诉记者，CMP 和清洗设备的国产化率已经比较高，刻蚀和薄膜沉积设备也正处在快速渗透阶段，但量测检测、涂胶显影等环节的国产化率仍然偏低，提升空间也最大。

在各类设备中，刻蚀设备的用量和金额占比都比较大。刻蚀的工作原理是用等离子体或化学气体在芯片上 " 雕刻 " 出电路需要的沟槽和线条。沟槽刻得越深、越窄，技术难度越高，业内用 " 深宽比 " 来衡量这项指标——深宽比越大，意味着设备的精度和控制能力越强。

北方华创（002371.SZ）是目前国内覆盖品类最全的半导体设备公司之一，产品线横跨刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法清洗、离子注入等多个环节。其财报数据显示，2025 年，北方华创的刻蚀设备和薄膜沉积设备收入均超过百亿元；同年，北方华创的立式炉和 PVD 设备（PVD 即物理气相沉积，用于在芯片上镀上金属薄膜）交付数量双双突破 1000 台。

在 5 月 15 日的业绩说明会上，北方华创董事长赵晋荣在回应投资者关于国产化率的提问时表示，国内各地新建晶圆产线整体设备国产化率持续抬升，逻辑芯片（CPU、GPU 等处理器）、存储芯片、功率半导体（用于电力转换和管理的芯片）、特色工艺等各类产线的国产化均在加速导入。

中微公司（688012.SH）是国内另一家主要的刻蚀设备厂商。根据该公司 2026 年一季报，其自主开发的超高深宽比刻蚀机已有 300 多台反应器（刻蚀设备中实际执行刻蚀工艺的核心单元）在存储产线实现量产，下一代 90:1 超高深宽比低温刻蚀设备也已送至客户端验证，第二代 ICP（电感耦合等离子体）刻蚀设备在 3D DRAM 应用中取得了 140:1 的刻蚀结果。

90:1 和 140:1 是什么概念？记者在采访中了解到，在一片硅片上刻出一条沟槽，沟槽的宽度不到头发丝的万分之一，而深度是宽度的 90 倍甚至 140 倍。这对设备的精度和稳定性要求极高——刻得不够深，电路结构不完整；刻偏了哪怕几纳米，整片晶圆就可能报废。

DRAM 芯片每升级一代，电容器的结构就要往更深处做，对刻蚀设备的深宽比要求也随之提高。前述投资人告诉记者，能做到 140:1 的深宽比，意味着设备已经能够支撑最新一代 DRAM 的制造需求。

除了刻蚀设备，薄膜沉积设备的国产化率增速也比较快。

薄膜沉积设备负责在硅片上一层层 " 生长 " 出功能性薄膜。在 DRAM 制造过程中，电容器是存储数据的核心结构，电容器中的两层关键薄膜，电极材料层和高介电常数介质层，需要用原子层沉积（ALD）设备来制备。

ALD 的特点是以单个原子的厚度为单位逐层沉积，精度极高。

拓荆科技（688072.SH）是国内主要的薄膜沉积设备厂商。财报显示，2026 年一季度，该公司实现营收 11.12 亿元，同比增长 57%，实现归母净利润 5.71 亿元，同比扭亏为盈。2025 年全年，该公司的 PECVD（等离子体增强化学气相沉积，一种在芯片上沉积介质薄膜的工艺）设备收入 51.42 亿元，同比增长 75%；ALD 设备收入 3.01 亿元，同比增长 192%。截至 2025 年底，拓荆科技累计出货超过 3400 个反应腔，进入约 100 条芯片生产线。

公开信息显示，2025 年 9 月，国家大基金三期将其成立以来的首个产业投资项目落在了拓荆科技的子公司拓荆键科，后者专注于先进键合设备的研发。

在刻蚀和薄膜沉积之外，化学机械抛光（CMP）和测试同样是 DRAM 制造中不可缺少的环节。其中，CMP 的作用是在每一层电路完成后，把晶圆表面磨到纳米级的平整度，如果表面不够平，后续的光刻和沉积工序就无法精确进行。

根据华海清科（688120.SH）公告，2026 年 4 月，该公司第 1000 台 CMP 装备出机。华海清科在 2025 年度业绩说明会上表示，公司 CMP 装备已广泛应用于逻辑芯片、3D NAND、DRAM 等主流工艺平台，在国内 12 英寸先进生产线的覆盖率和市场占有率持续提升，占据国产 CMP 装备销售 90% 以上份额。

测试环节的变化也值得关注。测试是芯片出厂前的最后一道关卡，每一颗 DRAM 芯片都要在测试机上完成一遍完整的功能验证，不合格的直接淘汰，测试机的速率决定了它能不能在芯片的实际工作频率下完成信号的收发和比对。

目前 DDR5 内存的数据传输速率已达到每秒数十亿比特的级别，测试机的速率必须匹配甚至超过这个水平，否则无法准确检出缺陷。

2026 年 1 月，精智达（688627.SH）签下 13.11 亿元的半导体测试设备合同，覆盖 DRAM 和 HBM（高带宽内存）全流程测试。精智达自主研发的高速 FT（成品功能测试）测试机速率达到每秒 90 亿比特，超过了日本爱德万（Advantest，全球最大的半导体测试设备厂商之一）主力机型每秒 80 亿比特的水平。

根据精智达年报，2025 年，该公司半导体测试设备收入同比增长超过 150%，已取代显示检测成为公司第一大业务。

前述投资人告诉记者，长鑫科技 2026 年二季度已开启新一轮设备招投标，全年计划扩产约 5 万至 6 万片晶圆，对应的设备采购需求或在 350 亿至 430 亿元人民币。此外，长鑫科技在招股书中披露的 IPO 募投项目中，设备购置及安装费合计 220.66 亿元；另有公开信息显示，长江存储 2 号厂房的工艺设备采购及安装项目也已于 5 月启动招标。

眼下，两家国内存储龙头同步进入了设备采购的密集期，对国产半导体设备厂商来说，好日子可能才刚刚开始。

从前驱体到抛光液

设备是一次性投入，进入产线后可以运行多年，但材料不同，每一片芯片晶圆在制造过程中都要持续消耗化学品、气体、光阻剂、靶材等各类原料，产能越大，消耗越多。

一位长期关注存储产业链的券商分析师告诉经济观察报记者，围绕存储扩产的投资传导，通常是设备先行，材料随后，产能建起来之后，耗材的用量提升非常明显。

长鑫科技在招股书中完整披露了其原材料的采购情况：2025 年，原材料采购总额约 114.7 亿元。按品类拆分：化学品（用于清洗和湿法工艺）占比最大，为 37.29%；光阻剂（光刻工序中定义电路图案的感光材料）占 12.16%；硅片（芯片制造的基底材料）占 8.55%；电子特气（刻蚀和沉积工序使用的高纯气体）占 5.10%；靶材（物理气相沉积工序使用的高纯金属材料）占 2.21%。

在这些材料中，前驱体是 DRAM 产线用量最大的特种化学品之一。前驱体是薄膜沉积工序使用的化学原料，在 ALD 和 CVD（化学气相沉积）设备中，前驱体被加热分解后在芯片表面生成所需的薄膜。DRAM 芯片中电容器的制造大量依赖前驱体，而且工艺每升级一代，薄膜的层数和种类都会增加，前驱体的用量随之上升。

雅克科技（002409.SZ）是国内半导体前驱体材料领域规模最大的公司之一，其产品覆盖高介电常数材料（一种用于制造电容器绝缘层的特殊介质，介电常数越高，电容器在更小的面积上能存储的电荷就越多）、硅基材料和金属材料等多个品类。

2025 年全年，雅克科技营收 86.11 亿元，同比增长 25.49%。根据雅克科技公开披露的信息，其江苏工厂的前驱体国产化项目目前已有产品通过客户端验证，正在转入批量试生产。

CMP（化学机械抛光）是芯片制造中实现晶圆表面平整化的关键工序。每做完一层电路，晶圆表面就会变得凹凸不平，CMP 的原理是用一块旋转的抛光垫配合抛光液，同时利用化学腐蚀和机械研磨两种作用，把表面磨到纳米级的平整度。如果晶圆表面不够平，下一层电路的光刻就对不准，整片晶圆的良率都会受影响。芯片有多少层电路，CMP 就要做多少次，抛光液是这道工序中最主要的消耗品。

安集